重生学霸?我铸就祖国巅峰科技

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第504章 纳米和28纳米的区别

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第一步棋刚刚部署完毕,江辰还未及观察其后续效应,芯片问题便接踵而至。

主管芯片事务的李老迅速行动,召集了涵盖国内半导体产业链各关键环节的企业领导,组织了一场紧急碰面会议。

会议的核心议题聚焦于国外芯片技术成功突破至28纳米节点所带来的影响。

在讨论中多家企业代表纷纷发言,表达了当前制程工艺下国内企业所拥有的先发优势。

然而市场环境的微妙变化也给与会者带来了不小的阴霾。

毕竟本来到嘴里的很多订单突然取消转而投向海外的怀抱,大家嘴上不说,心里还是有压力的。

会议结束后,余总随即来到星辰公司,希望能从江辰这里寻得一些破解当前困境的良策。

听完后江辰直接提出了心中的疑问

“菊厂难道没有对国外新推出的28纳米芯片进行详细的拆解和分析吗?”

余总听后,脸上露出困惑的表情,反问道

“既然都是28纳米的技术水平,顶多是在工艺制程的细节处理和良品率上有所差异,我们还有必要再去分析吗?

江辰你这么说,其中是有什么蹊跷?”

江辰此刻顿时明了,原来众人对于海外芯片技术的最新进展存在误解,压根就是只看了宣布公告。

他轻轻点头,接着详细阐述道

“在那则消息公布之后,我迅速获取了相关芯片,并着手进行了拆解分析,海外其实并未完全攻克28纳米制程工艺的技术难关。

而是通过采用芯片堆叠技术,并结合一定程度的技术创新,才使得芯片性能达到了相当于28纳米的新高度。

不过根据我的判断,他们距离真正实现28纳米制程的全面突破也不远了。”

余总闻言,眼睛逐渐瞪大,一脸惊愕,半晌没有回过神来。

江辰见状,继续说道

“因此针对这一情况,我们的应对策略也就清晰了。既然对方能够利用堆叠技术达到28纳米水平,那么我们同样可以借鉴这一策略。”

对面的余总不愧是商场上的老手,闻言立刻领悟了江辰的言外之意,眼中闪过一丝精光,急切地问道

“这么说来,星辰公司是不是在14纳米芯片技术上已经取得了某种程度的进展才让你如此有信心?”

“虽说没有取得那种颠覆性的突破,但堆叠技术对我们来说并非难事,凭借现有的技术水平,完全有能力将其实现。”

江辰平静地陈述道。

在成功完成28纳米制程工艺项目的基础上,孟玉竹就提交了启动14纳米技术研发的申请并获得了批准。

自那以来,已经过去了一年多时间,期间研发团队在多个技术节点上取得了显着进展。

只不过貌似走到了尽头,始终没有革命性的突破,14纳米也就无从谈起。

余总听闻此言,眼神中掠过一抹不易察觉的失望,但很快这抹情绪就被新燃起的兴奋所取代。

此次造访不仅获取了海外芯片技术的第一手真实情况,更重要的是,让他看到了解决问题的新路径。

两人磋商了一番,就技术事宜进行了意见交流。

会谈结束后,余总几乎是迫不及待地站起身来,提出告辞。

他心中已有了明确的计划,

送别了对方,江辰看着离去的背影,心里也想着,既然答应接手了芯片技术的问题,那么学术上的研究就得稍稍延后了。

当他踏入芯片部门,开始深入了解当前项目的进展情况时,一个关键的问题逐渐浮出水面。

他终于知道了为什么14纳米迟迟无法研发成功。

原来在28纳米及其以上制程的芯片技术中,广泛采用的是传统的互补金属氧化物半导体工艺,即人们常说的cmoS技术。

cmoS作为计算机系统内部的核心组件之一,承担着存储系统最基本数据与指令的重任,是电子设备不可或缺的基石。

然而这项成熟的技术并非没有局限。

随着科技的不断进步,当制程工艺试图向更精细的14纳米乃至更小尺度推进时,cmoS技术遇到了难以逾越的瓶颈。

具体而言28纳米成为了cmoS工艺能够有效支撑性能提升的极限点。

一旦跨越这个界限,进入更高级的制程领域,就必须对晶体管的结构进行根本性的革新。

因为传统的cmoS设计已经无法满足更高精度、更快速度以及更低能耗的工艺需求。

孟玉竹及其团队成员也是卡在了芯片研发的这个环节上,因此进展受阻。

此刻他们全体成员正神情紧张地站在会议桌前,目光不约而同地聚焦在正在审阅资料的董事长江辰身上,空气中弥漫着一种微妙的氛围。

江辰缓缓放下手中的文件,转头将视线投向团队,注意到每个人脸上都挂着略显尴尬而又略带歉意的微笑。

他看着这一幕无奈的苦笑。。

“如果我不亲自来一趟,你们是打算自己咬牙坚持,硬着头皮继续摸索下去吗?”

江辰的话语中带着几分调侃。

孟玉竹被推选为代表,硬着头皮站了出来,声音中带着一丝不自然的笑意

“董事长,您这是说到哪儿去了。我们其实已经给自己设定了一个明确的时间线,如果在接下来的半年里还是无法攻克,那我们就…”

江辰见状,既觉得好笑又有些许无奈,轻轻摇了摇头,打断了孟玉竹的话。

“好了,不必再说了。”

他心中已经有了计较,本来是准备来搞定芯片堆叠技术的,索性帮他们把14纳米结构设计也敲定把。

不然这帮家伙还不知道要撞多少次南墙了。

接下来的几天时间内,江辰先是把项目成立以来所有的技术资料全都捋了一遍。

成员们在很多技术上都有很大的突破。

这样一来的话,一旦奠定好新工艺的结构设计,那么估摸着14纳米芯片技术的突破近在咫尺了。

很快江辰就拿出了一款结构设计,也是后世中14纳米,7纳米乃至5纳米的通用方案。

鳍式场效应管晶体管结构,俗称FinFEt。

它采用了3d结构增加了接触面积,从而提高了半导体性能并减少了电流泄露。

到这里为止硅基芯片的制程算是快走到极限了。

此外28纳米,14纳米就是目前全球最主要的成熟制程,而大家所熟知的7纳米及以上由于脆弱性其实并不常用。

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